Snapdragon 835 : la fiche technique de la puce mobile dévoilée

Alors que Qualcomm est en pleine tourmente pour abus de position dominante sur le marché des processeurs mobiles, le fabricant américain doit également faire face à une fuite de la fiche technique de sa dernière puce haut de gamme. Une puce gravée en 10nm FinFET C’est VideoCardz qui dévoile le pot aux roses : la Snapdragon 835, nouvelle puce haut de gamme de Qualcomm, affiche ses caractéristiques à travers un diaporama prévu pour une conférence de presse (le 3 janvier) ou la keynote du 6 janvier, présentée par son CEO Steven Mollenkopf — voire, dans un futur plus lointain, en amont du CES 2017 qui démarrera le 27 février prochain. La fiche est d’autant plus intéressante qu’elle permet de connaître les performances de la puce que l’on pourra retrouver sur la plupart des smartphones haut de gamme cette année, et au-delà. Gravée en 10nm FinFET, le processeur se veut notamment et surtout plus petit que les précédents, tout en offrant des caractéristiques plus poussées que la génération précédente, avec une amélioration des performances jusqu’à 20% dans la gestion des tâche, la VR et la navigation web. On conserve l’architecture big.LITTLE qui gère le multitâche en consacrant 4 de ses cœurs aux ressources gourmandes et 4 cœurs aux tâches plus communes (SMS, agenda, bloc-notes, etc.). La gravure FinFET permet en outre une consommation moindre d’énergie et (un peu) moins de place occupée. Une année riche pour Qualcomm En 2017, Qualcomm dévoilera également sa puce 5G, en test tout du moins, avant une release grand public courant 2018. Avec des vitesses de transfert estimées à 5 Gbps, les données mobiles vont être rapatriées plus rapidement que jamais sur votre smartphone. Pour connaître plus en détail les plans de l’entreprise américaine pour l’année 2017, rendez-vous après le 6 janvier et les révélations de Steven Mollenkopf. Source : VideoCardz
Via : Phonandroid

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